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DTA114ECAT116 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SST3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
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Otros incluyen   "DTA11"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTA1132KA ROHM CIs Calientes Especializados 24000
DTA1135EKAT146 ROHM CIs Calientes Especializados 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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