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DTA014EUBTL Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-85
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package UMT3F
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTA013ZEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 15364
DTA013ZEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA013ZM LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
DTA013ZMT2L ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA013ZUB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 6419
DTA013ZUBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3000
DTA013ZUBTL ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT
DTA014EEB TL ROHM CIs Calientes Especializados 162000
DTA014EEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 41202
DTA014EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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