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2SK2887TL
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2SK2887TL Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Supplier Device Package | CPT3 |
Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 1.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2SK28" partes
Las siguientes partes incluyen '2SK28'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SK2800 | HIT | CIs Calientes Especializados | 22802 |
2SK2802 | HITACHI | CIs Calientes Especializados | 3959 |
2SK2803 | Sanken Electric Co., Ltd. | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2594 |
2SK2805 | Original | CIs Calientes Especializados | 7235 |
2SK2806 | FUJI | CIs Calientes Especializados | 1245 |
2SK2806-01 | Fujitsu Electronics America, Inc. | CIs Calientes Especializados | 7216 |
2SK2807-01S | FUJI | CIs Calientes Especializados | 2387 |
2SK2807-01S-TE24R | FUJI | CIs Calientes Especializados | 1180 |
2SK2808 | Original | CIs Calientes Especializados | 423 |
2SK2808 IC | FUJI | CIs Calientes Especializados | 20200 |
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