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2SD2211T100R
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2SD2211T100R Especificaciones técnicas
TRANS NPN 160V 1.5A SOT89
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-243AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 100mA, 1A |
Supplier Device Package | MPT3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 80MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen '2SD22'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SD2201-TL | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2083 |
2SD2204 | TOSHIBA/ | CIs Calientes Especializados | 774 |
2SD2206 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2500 |
2SD2206(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2729 |
2SD2206(T6CNO,A,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2576 |
2SD2206(T6F(J | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 69384 |
2SD2206(T6PP | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 585261 |
2SD2206(T6PP,A,F) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 585000 |
2SD2206(T6PP1 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 30253 |
2SD2206(T6PP1,A,F) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 30000 |
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