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2SCR523MT2L Especificaciones técnicas

TRANS NPN 50V 0.1A VMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package VMT3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 350MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Las siguientes partes incluyen  '2SCR5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SCR502EBHZGTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SCR502EBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2580
2SCR502EBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SCR502U3HZGT106 ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SCR502UBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 72280
2SCR502UBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SCR512P ROHM CIs Calientes Especializados 1387
2SCR512P T100 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1296
2SCR512P5 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1417
2SCR512P5 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2398

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