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2SCR513P5T100
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2SCR513P5T100 Especificaciones técnicas
NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | TO-243AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Supplier Device Package | MPT3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 360MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
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Hojas de datos
2SCR513P5T100.pdf
Otros incluyen "2SCR5" partes
Las siguientes partes incluyen '2SCR5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SCR502EBHZGTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SCR502EBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2580 |
2SCR502EBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SCR502U3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SCR502UBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 72280 |
2SCR502UBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SCR512P | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1387 |
2SCR512P T100 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1296 |
2SCR512P5 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1417 |
2SCR512P5 IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2398 |
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