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2SCR513P5T100 Especificaciones técnicas

NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 500mW
Package / Case TO-243AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA
Supplier Device Package MPT3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 360MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
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Otros incluyen   "2SCR5"   partes

Las siguientes partes incluyen  '2SCR5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SCR502EBHZGTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SCR502EBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2580
2SCR502EBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SCR502U3HZGT106 ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SCR502UBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 72280
2SCR502UBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SCR512P ROHM CIs Calientes Especializados 1387
2SCR512P T100 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1296
2SCR512P5 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1417
2SCR512P5 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2398

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