SPW11N80C3FKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 680µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 7.1A, 10V
Packaging Tube
Other Names SP000013703 SPW11N80C3 SPW11N80C3IN SPW11N80C3IN-ND SPW11N80C3X SPW11N80C3XK SPW11N80C3XTIN SPW11N80C3XTIN-ND
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPW1102 SUNTAK CIs Calientes Especializados 2811
SPW112A SUNPLUS CIs Calientes Especializados 943
SPW11N60C2 Original CIs Calientes Especializados 2708
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