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SPI21N10
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SPI21N10 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 44µA |
Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.4nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
SPI21N10 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SPI21" partes
Las siguientes partes incluyen 'SPI21'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SPI21N50C3 | INF | CIs Calientes Especializados | 1892 |
SPI21N50C3/21N50C3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1239 |
SPI21N50C3HKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2740 |
SPI21N50C3XKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2737 |
SPI21N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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