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SPI11N60C3XKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package PG-TO262-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'SPI11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPI11N60C2 INFINEON CIs Calientes Especializados 514
SPI11N60C3 infineon CIs Calientes Especializados 492
SPI11N60C3HKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2573
SPI11N60C5 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 37
SPI11N60CFD INFINEON CIs Calientes Especializados 1675
SPI11N60CFDHKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2585
SPI11N60S5 INFINEON CIs Calientes Especializados 11363
SPI11N60S5BKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2758
SPI11N65C3 INF CIs Calientes Especializados 2421
SPI11N65C3HKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2520

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