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SPI08N50C3XKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package PG-TO262-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
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Otros incluyen   "SPI08"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SPI08' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPI08N50C3 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3637
SPI08N50C3HKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2556
SPI08N80C3 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2835
SPI08N80C3XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2625
SPI08N80C3XKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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