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SPD30N06S2L-13 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Supplier Device Package P-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPD30N03 INEONI CIs Calientes Especializados 32700
SPD30N03L infineo CIs Calientes Especializados 1488
SPD30N03S2L-07 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18007
SPD30N03S2L-07 G I CIs Calientes Especializados 10270
SPD30N03S2L-07 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5684
SPD30N03S2L-07G I CIs Calientes Especializados 32944
SPD30N03S2L-08 VB CIs Calientes Especializados 6054
SPD30N03S2L-08 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5965
SPD30N03S2L-10 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16069
SPD30N03S2L-10 G I CIs Calientes Especializados 10503

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