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SPD18P06PGBTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 60V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SP000443926 SPD18P06P G SPD18P06P G-ND SPD18P06P GTR-ND SPD18P06PG SPD18P06PGBTMA1TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.6A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPD18P06 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 516
SPD18P06P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29159
SPD18P06P 18P06P International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1968
SPD18P06P G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2302
SPD18P06P MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 627
SPD18P06PG I CIs Calientes Especializados 2271
SPD18P06PG MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5290
SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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