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SPD08N50C3BTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 350µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 560V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SP000307395 SPD08N50C3 SPD08N50C3BTMA1-ND SPD08N50C3BTMA1TR SPD08N50C3INTR SPD08N50C3INTR-ND SPD08N50C3XT SPD08N50C3XTINTR SPD08N50C3XTINTR-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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