SPD02N60S5BTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPD025980 Luxo Accesorios 2660
SPD026586 Luxo Accesorios 2511
SPD026587 Luxo Accesorios 2603
SPD026588 Luxo Accesorios 2743
SPD02N50C3 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20781
SPD02N50C3 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
SPD02N50C3 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 743
SPD02N50C3BTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2781
SPD02N60 Infineon CIs Calientes Especializados 5000
SPD02N60C3 INFINEO CIs Calientes Especializados 15425

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