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SPB10N10L G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 21µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 154 mOhm @ 8.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 444pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPB100100 MICROSEMI Módulos IGBT 2833
SPB10015 MICROSEMI Módulos IGBT 2897
SPB10035 MICROSEMI Módulos IGBT 2984
SPB10040 MICROSEMI Módulos IGBT 2755
SPB10045 MICROSEMI Módulos IGBT 2930
SPB10045E3 Microsemi Diodos - Rectificadores - Matrices 2736
SPB10045E3 Microsemi Corporation Matriz de Diodos Rectificadores
SPB10060 MICROSEMI Módulos IGBT 2554
SPB10080 MICROSEMI Módulos IGBT 2998
SPB10090 MICROSEMI Módulos IGBT 2900

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