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SPA16N50C3 Especificaciones técnicas

SPA16N50C3 Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package PG-TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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SPA16N50C3 Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SPA16N50C3

Otros incluyen   "SPA16"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SPA16' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPA1629LR5H-E-2 CHINA CIs Calientes Especializados 2720
SPA1687LR5H-1 Knowles CIs Calientes Especializados 1705
SPA1687LR5H-1-8 Knowles CIs Calientes Especializados 38286
SPA16N50C3 TK15A50D Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 32363
SPA16N50C3XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2778
SPA16N50C3XKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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