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SIDC08D120H6X1SA1 Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 10A
Supplier Device Package Sawn on foil
Packaging Bulk
Other Names SIDC08D120H6 SIDC08D120H6-ND SP000013216
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Detailed Description Diode Standard 1200V 10A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io) 10A (DC)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case Die
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 27µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F -
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SIDC08D120H6X1SA1 Documentos

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIDC01D120H6 International Rectifier (Infineon Technologies) Diodos - Rectificadores - Individual 2563
SIDC01D60C6 International Rectifier (Infineon Technologies) Diodos - Rectificadores - Individual 2527
SIDC02D60C6 International Rectifier (Infineon Technologies) Diodos - Rectificadores - Individual 2658
SIDC02D60C6X1SA4 International Rectifier (Infineon Technologies) Diodos - Rectificadores - Individual 2526
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