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SI4410DYPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI4410 IOR CIs Calientes Especializados 4371
SI4410/TSM4410 Original CIs Calientes Especializados 194300
SI4410A Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 672
SI4410AU SILICON CIs Calientes Especializados 2502
SI4410B SI CIs Calientes Especializados 2574
SI4410BD SI CIs Calientes Especializados 2533
SI4410BDY VISHAY CIs Calientes Especializados 2425
SI4410BDY MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2781
SI4410BDY-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 2549
SI4410BDY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1233

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