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SI3443DV Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package Micro6™(TSOP-6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1079pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Ta)
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Las siguientes partes incluyen  'SI344' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI3440ADV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6454
SI3440ADV-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 5265
SI3440ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI3440DV Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1176
SI3440DV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 19271
SI3440DV-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 120043
SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI3440DV-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1138
SI3440DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6661
SI3440DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 57151

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