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SGB15N60HSATMA1
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SGB15N60HSATMA1 Especificaciones técnicas
IGBT 600V 27A 138W TO263-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 400V, 15A, 23 Ohm, 15V |
Switching Energy | 530µJ |
Power - Max | 138W |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 15A |
Td (on/off) @ 25°C | 13ns/209ns |
Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 80nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 27A |
SGB15N60HSATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SGB15N60HSATMA1
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SGB15" partes
Las siguientes partes incluyen 'SGB15'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SGB15N120 | INF | CIs Calientes Especializados | 22900 |
SGB15N120ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2603 |
SGB15N120ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
SGB15N60 | Infineo | CIs Calientes Especializados | 5605 |
SGB15N60ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2511 |
SGB15N60ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
SGB15N60HS | INF | CIs Calientes Especializados | 450 |
SGB15N60HS G15N60HS | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 642 |
SGB15N60HS MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1473 |
SGB15N60HSATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs individuales |
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