IRLZ24NPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLZ24 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29947
IRLZ24 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29947
IRLZ24A FSC CIs Calientes Especializados 5360
IRLZ24L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2624
IRLZ24L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
IRLZ24LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3200
IRLZ24LPBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3200
IRLZ24N IR CIs Calientes Especializados 5488
IRLZ24N MOS IR CIs Calientes Especializados 567
IRLZ24NL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2766

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