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IRLU3410PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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IRLU3410PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRLU3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLU3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLU3103 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10329
IRLU3103PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4962
IRLU3103PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLU3103PBG IR CIs Calientes Especializados 385
IRLU3105 IR CIs Calientes Especializados 2732
IRLU3105PBF IR CIs Calientes Especializados 529
IRLU3105TRPBF VB CIs Calientes Especializados 5000
IRLU3110Z IR CIs Calientes Especializados 1200
IRLU3110ZPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2798
IRLU3110ZPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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