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IRLS4030TRLPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 370W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 110A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11360pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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Otros incluyen   "IRLS4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLS4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLS4030 IR CIs Calientes Especializados 22800
IRLS4030-7P IR CIs Calientes Especializados 535
IRLS4030-7PPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1321
IRLS4030-7PPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLS4030-7PTRR(AUIRLS40 IR CIs Calientes Especializados 3500
IRLS4030-7PTRR(AUIRLS4030-7P) IR CIs Calientes Especializados 3000
IRLS4030PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4442
IRLS4030PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLS4030TRL7PP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2449
IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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