IRLR8256TRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 81A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 13V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 81A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLR8103 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3304
IRLR8103TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2632
IRLR8103TRL Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2702
IRLR8103TRL Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
IRLR8103TRPBF IR CIs Calientes Especializados 5570
IRLR8103TRR Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRLR8103TRR Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRLR8103V IR CIs Calientes Especializados 1088
IRLR8103V IC IR CIs Calientes Especializados 485
IRLR8103V MOS JRC CIs Calientes Especializados 4127

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