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IRLR3410TRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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Otros incluyen   "IRLR3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLR3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLR3103 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12258
IRLR3103 MOS IR CIs Calientes Especializados 798
IRLR3103PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32815
IRLR3103PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLR3103TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 425
IRLR3103TRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2599
IRLR3103TRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15377
IRLR3103TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 114293
IRLR3103TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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