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IRL8113STRLPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 21A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2840pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 105A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IRL81' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRL8113 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50266
IRL8113L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32365
IRL8113LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40510
IRL8113PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 42120
IRL8113PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRL8113PBF MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5464
IRL8113PBF MOSFETIGBTIC IR CIs Calientes Especializados 1198
IRL8113PBF. IR CIs Calientes Especializados 32422
IRL8113S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29500
IRL8113S MOS IR CIs Calientes Especializados 733

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