IRL6372PBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRL630 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9803
IRL630 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 864
IRL630 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 494
IRL630A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1321
IRL630A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3020
IRL630APBF VB CIs Calientes Especializados 10357
IRL630NS IR CIs Calientes Especializados 2855
IRL630PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2518
IRL630PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22268
IRL630S Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12183

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