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IRL40SC228 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK-7

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series StrongIRFET™
Power Dissipation (Max) 416W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 307nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK (7-Lead)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.65 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 19680pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 557A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRL40B209 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2657
IRL40B209 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRL40B212 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620
IRL40B212 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRL40B215 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1263
IRL40B215 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRL40S212 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2668
IRL40S212 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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