IRL2910STRL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 29A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRL2905L IR CIs Calientes Especializados 14124
IRL2910 IR CIs Calientes Especializados 31683
IRL2910L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2794
IRL2910LPBF IR CIs Calientes Especializados 99
IRL2910PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2775
IRL2910PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRL2910PBF MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1030
IRL2910S IR CIs Calientes Especializados 30783
IRL2910S L2910S IR CIs Calientes Especializados 2213
IRL2910S MOS IR CIs Calientes Especializados 6523

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