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IRGSL6B60KDPBF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 13A 90W TO262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 5A, 100 Ohm, 15V
Switching Energy 110µJ (on), 135µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 70ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 18.2nC
Current - Collector (Ic) (Max) 13A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A
Td (on/off) @ 25°C 25ns/215ns
Supplier Device Package TO-262
Power - Max 90W
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 26A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRGSL10B60KD IR CIs Calientes Especializados 20000
IRGSL10B60KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 3209
IRGSL10B60KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGSL14C40L IR CIs Calientes Especializados 724
IRGSL14C40LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2599
IRGSL14C40LPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGSL14C40LPBF Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
IRGSL15B60KD IR CIs Calientes Especializados 765
IRGSL15B60KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 1022
IRGSL15B60KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales

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