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IRGS10B60KDTRLP Especificaciones técnicas

IGBT 600V 22A 156W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 10A, 47 Ohm, 15V
Switching Energy 140µJ (on), 250µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 90ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 38nC
Current - Collector (Ic) (Max) 22A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 30ns/230ns
Supplier Device Package D2PAK
Power - Max 156W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 44A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRGS10B60KD IR CIs Calientes Especializados 2711
IRGS10B60KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 12568
IRGS10B60KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGS10B60KDTRLP Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGS10B60KDTRLP Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
IRGS10B60KDTRPBF IR CIs Calientes Especializados 364
IRGS10B60KDTRRP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 9169
IRGS10B60KDTRRP Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGS10B60KDTRRP MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 174070
IRGS10B60KDTRRPBF IR CIs Calientes Especializados 3000

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