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IRGR2B60KDPBF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 6.3A 35W DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 2A, 100 Ohm, 15V
Switching Energy 74µJ (on), 39µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 68ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 12nC
Current - Collector (Ic) (Max) 6.3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 2A
Td (on/off) @ 25°C 11ns/150ns
Supplier Device Package D-Pak
Power - Max 35W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 8A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRGR2B60KD IR CIs Calientes Especializados 1370
IRGR2B60KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGR2B60KDPBF Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
IRGR2B60KDTRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 32363
IRGR2B60KDTRLPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGR2B60KDTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 32363
IRGR2B60KDTRPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGR2B60KDTRRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 32363
IRGR2B60KDTRRPBF Infineon Technologies IGBTs individuales

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