IRGIB6B60KDPBF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 11A 38W TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 5A, 100 Ohm, 15V
Switching Energy 110µJ (on), 135µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 70ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 18.2nC
Current - Collector (Ic) (Max) 11A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A
Td (on/off) @ 25°C 25ns/215ns
Supplier Device Package TO-220AB Full-Pak
Power - Max 38W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 22A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRGIB10B60KD IR CIs Calientes Especializados 2677
IRGIB10B60KD1 IR CIs Calientes Especializados 1012
IRGIB10B60KD1 GIB10B60KD1 IR CIs Calientes Especializados 1225
IRGIB10B60KD1P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 46170
IRGIB10B60KD1P Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGIB10B60KD1P. IR CIs Calientes Especializados 250
IRGIB10B60KD1PBF IR CIs Calientes Especializados 2635
IRGIB10B60KD1PBF. IR CIs Calientes Especializados 2566
IRGIB15B60KD1 IR CIs Calientes Especializados 32612
IRGIB15B60KD1P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 4645

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