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IRG8P50N120KDPBF
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IRG8P50N120KDPBF Especificaciones técnicas
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 35A, 5 Ohm, 15V |
Switching Energy | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 170ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 315nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
Td (on/off) @ 25°C | 35ns/190ns |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Power - Max | 350W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | - |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRG8P08N120KD-EPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2539 |
IRG8P08N120KD-EPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG8P08N120KDPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2765 |
IRG8P08N120KDPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG8P08N120KDPBF | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales | |
IRG8P15N120KD-EPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2618 |
IRG8P15N120KD-EPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG8P15N120KDPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2645 |
IRG8P15N120KDPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG8P15N120KDPBF | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales |
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