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IRG8P25N120KDPBF Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 15A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 800µJ (on), 900µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 70ns
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 135nC
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Td (on/off) @ 25°C 20ns/170ns
Supplier Device Package TO-247AC
Power - Max 180W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRG8P08N120KD-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2539
IRG8P08N120KD-EPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8P08N120KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2765
IRG8P08N120KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8P08N120KDPBF Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2618
IRG8P15N120KD-EPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8P15N120KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2645
IRG8P15N120KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8P15N120KDPBF Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales

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