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IRG7PSH54K10DPBF Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 120A 520W TO274AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 50A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 4.8mJ (on), 2.8mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 170ns
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 435nC
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 110ns/490ns
Supplier Device Package SUPER-247 (TO-274AA)
Power - Max 520W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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Otros incluyen   "IRG7P"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRG7P' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRG7P313U IR CIs Calientes Especializados 2638
IRG7PA19U-203P IR CIs Calientes Especializados 1131
IRG7PC50SD IR CIs Calientes Especializados 54
IRG7PC50SD-R IR CIs Calientes Especializados 474
IRG7PC50U-RD IR CIs Calientes Especializados 12
IRG7PG35U-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2550
IRG7PG35U-EPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG7PG35UPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2631
IRG7PG35UPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG7PG42UD-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2667

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