IRG4BC10SD-S Especificaciones técnicas

IGBT 600V 14A 38W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 480V, 8A, 100 Ohm, 15V
Switching Energy 310µJ (on), 3.28mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 28ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 15nC
Current - Collector (Ic) (Max) 14A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A
Td (on/off) @ 25°C 76ns/815ns
Supplier Device Package D2PAK
Power - Max 38W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRG4B50W IR CIs Calientes Especializados 1084
IRG4BAC50W-S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 658
IRG4BAC50W-S Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4BAC50W-SPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2786
IRG4BAC50W-SPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4BC10K International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 780
IRG4BC10K Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4BC10KD IR CIs Calientes Especializados 92380
IRG4BC10KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2698
IRG4BC10KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales

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