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IRFZ34NLPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 29A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFZ3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFZ3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFZ30 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7841
IRFZ30 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 525
IRFZ30PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2636
IRFZ30PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2525
IRFZ30PBF MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 664
IRFZ32 VB CIs Calientes Especializados 5000
IRFZ34 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4622
IRFZ34 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28740
IRFZ34A FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2599
IRFZ34E International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 586

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