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IRFU3410PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 110W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
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IRFU3410PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRFU3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFU3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFU310 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3718
IRFU310 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3718
IRFU310A FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2799
IRFU310A IRFU310 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 5999
IRFU310A IRFU310 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1698
IRFU310BTU FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2793
IRFU310PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1286
IRFU310PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33928
IRFU310PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFU310PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 992

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