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IRFU15N20DPBF
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IRFU15N20DPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IRFU1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFU1010Z | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 563 |
IRFU1010ZPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 670 |
IRFU1018E | IR | CIs Calientes Especializados | 2566 |
IRFU1018EPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10315 |
IRFU1018EPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFU110 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2797 |
IRFU110 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2339 |
IRFU110 IRLU110 | IR | CIs Calientes Especializados | 1 |
IRFU110A | IR | CIs Calientes Especializados | 49 |
IRFU110PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 39953 |
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