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IRFSL4228PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 83A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 33A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4530pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 83A (Tc)
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IRFSL4228PBF Documentos

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFSL11N50A Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3362
IRFSL11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11673
IRFSL11N50APBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2564
IRFSL11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2743
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