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IRFSL4010PBF
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IRFSL4010PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-262 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 106A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9575pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFSL11N50A | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3362 |
IRFSL11N50A | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 11673 |
IRFSL11N50APBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2564 |
IRFSL11N50APBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2743 |
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IRFSL23N15D | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1254 |
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IRFSL23N20D | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2745 |
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