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IRFSL38N20DPBF
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IRFSL38N20DPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-262 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 26A, 10V |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Packaging | Tube |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFSL11N50A | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3362 |
IRFSL11N50A | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 11673 |
IRFSL11N50APBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2564 |
IRFSL11N50APBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2743 |
IRFSL17N20D | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 495 |
IRFSL17N20DPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2691 |
IRFSL23N15D | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1254 |
IRFSL23N15DPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2782 |
IRFSL23N20D | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2745 |
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