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IRFS4020PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFS4010 IR CIs Calientes Especializados 578
IRFS4010-7P IR CIs Calientes Especializados 925
IRFS4010-7PPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1318
IRFS4010-7PPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFS4010-7PPBF IC IR CIs Calientes Especializados 16459
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IRFS4010PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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