IRFS23N20DPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 14A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFS22N60C3 IR CIs Calientes Especializados 2714
IRFS23N15D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28721
IRFS23N15DP IR CIs Calientes Especializados 2344
IRFS23N15DPBF VB CIs Calientes Especializados 4274
IRFS23N15DTRLP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRFS23N15DTRLP Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFS23N15DTRLPBF IR CIs Calientes Especializados 4052
IRFS23N15DTRPBF IR CIs Calientes Especializados 983
IRFS23N15DTRPBF. IR CIs Calientes Especializados 2514
IRFS23N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23091

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