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IRFS17N20D Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 9.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFS11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28238
IRFS11N50A Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28238
IRFS11N50A MOS IR CIs Calientes Especializados 5778
IRFS11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37365
IRFS11N50APBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37365
IRFS11N50APBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFS11N50ATR IR CIs Calientes Especializados 1063
IRFS11N50ATRL Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37363
IRFS11N50ATRL Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37363
IRFS11N50ATRLP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2768

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