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IRFR9N20DTRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFR9"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFR9' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFR9010 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 71662
IRFR9010 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16897
IRFR9010 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2722
IRFR9010PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3842
IRFR9010PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32373
IRFR9010PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFR9010TF SAMAUNG CIs Calientes Especializados 2170
IRFR9010TR Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3029
IRFR9010TR Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8267
IRFR9010TRL Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2661

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