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IRFR9N20DTRLPBF
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IRFR9N20DTRLPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | D-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.6A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IRFR9'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFR9010 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 71662 |
IRFR9010 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16897 |
IRFR9010 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 2722 |
IRFR9010PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3842 |
IRFR9010PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32373 |
IRFR9010PBF | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRFR9010TF | SAMAUNG | CIs Calientes Especializados | 2170 |
IRFR9010TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3029 |
IRFR9010TR | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8267 |
IRFR9010TRL | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2661 |
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