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IRFR8314TRPBF
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IRFR8314TRPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 100µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 90A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4945pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFR812 | IR | CIs Calientes Especializados | 32753 |
IRFR812PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 20768 |
IRFR812PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFR812PBF MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5462 |
IRFR812TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2665 |
IRFR812TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFR820 | VB | CIs Calientes Especializados | 468 |
IRFR8203 | IR | CIs Calientes Especializados | 2562 |
IRFR8203TRPBF | I | CIs Calientes Especializados | 42363 |
IRFR820TRLPBF | VB | CIs Calientes Especializados | 34226 |
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