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IRFP3206PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 280W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247AC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6540pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFP3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFP3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFP3006 IR CIs Calientes Especializados 7962
IRFP3006PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1442
IRFP3006PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFP3077 IR CIs Calientes Especializados 32742
IRFP3077PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1074
IRFP3077PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFP31N50 VISHAY CIs Calientes Especializados 2511
IRFP31N50L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 588
IRFP31N50L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9907
IRFP31N50LPBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4200

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